AI芯片新创Etched完成流片：低电压提升实际算力表现，SRAM+HBM缓存

AI芯片初创企业Etched宣布其推理加速器芯片完成A0步进流片，并已获得超10亿美元订单和8亿美元B轮融资，首批机架预计2026年夏天出货。该芯片基于台积电N4P制程，数学模块电压比大多数竞品低50%以上，能以超80%算力效率运行1T规模的稀疏MoE模型。缓存侧采用片内SRAM+片外HBM组合，兼顾低延迟和大容量，实现高吞吐与交互性。