美光 HBM4 增产顺利，HBM4E 明年量产

美光科技宣布其第六代高带宽内存 HBM4 正在顺利扩大产能，量产爬坡速度是去年 HBM3E 的两倍，良率提升更快。HBM4 主要面向英伟达 Vera Rubin AI 计算平台，得益于 HBM3 和 HBM3E 的经验积累、1-beta 工艺的稳定性以及优化的基础裸片设计。下一代 HBM4E 将改用 1-gamma 工艺，基础裸片由台积电代工，美光计划明年启动量产。三星和 SK 海力士也在推进 HBM4E 开发，分别计划今年第二季度和下半年提供样品。