精选理由
AI训练和推理团队长期受困于显存带宽与功耗的拉扯，英特尔的9层堆叠方案直接给出0.25 Tb/s/mm²带宽和0.35 W/mm²功耗的硬指标，做高性能计算或AI芯片的开发者值得关注这一技术路线。
英特尔联合力积电（PSMC）和软银旗下SAIMEMORY，将在VLSI 2026会议上展示一种新型3D DRAM堆叠方案Via-in-One TSV。该架构通过多晶圆后通孔和超薄硅基底等技术，实现了约0.25 Tb/s/mm²的带宽和低于0.35 W/mm²的数据传输功耗，同时将数据移动能耗降至0.7 pJ/bit以下。完整9层DRAM堆叠已完成功能验证，工作电压范围0.95V-1.2V，并通过可靠性测试。这一突破有望解决AI训练和推理中带宽与功耗的平衡难题。
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英特尔联合力积电（PSMC）和软银旗下SAIMEMORY，将在VLSI 2026会议上展示一种新型3D DRAM堆叠方案Via-in-One TSV。该架构通过多晶圆后通孔和超薄硅基底等技术，实现了约0.25 Tb/s/mm²的带宽和低于0.35 W/mm²的数据传输功耗，同时将数据移动能耗降至0.7 pJ/bit以下。完整9层DRAM堆叠已完成功能验证，工作电压范围0.95V-1.2V，并通过可靠性测试。这一突破有望解决AI训练和推理中带宽与功耗的平衡难题。
IT之家 5 月 22 日消息，集邦咨询今天（5 月 22 日）发布博文，基于泄露的 VLSI 2026 会议摘要， 力积电（PSMC）将联合英特尔、SAIMEMORY（软银旗下）展示 Via-in-One TSV 架构，主打更高带宽和更低数据传输功耗。 报道指出英特尔正携手软银旗下的 SAIMEMORY，推进 Z-Angle Memory（ZAM）合作，而最新消息称力积电 PSMC 已加入阵容。IT之家附上相关截图如下： Intel …