精选理由
华为绕过EUV光刻机实现3nm级性能，关注国产芯片突破的科技从业者和手机发烧友值得一看，Mate 90的性能表现可能超出预期。
华为即将推出的旗舰芯片麒麟9050，采用创新的3D IC堆叠技术和自研Tau Law，在避开EUV光刻机限制的情况下，实现了与台积电3nm工艺相当的性能。该芯片性能超越苹果A18芯片，将搭载于今年秋季发布的Mate 90系列手机。这一突破展示了华为在半导体制造领域的自主创新能力，可能改变高端手机芯片竞争格局。
原文 · pandaily
Huawei Kirin 9050 Surpasses Apple A18, Launching with Mate 90 This Fall
Huawei's upcoming flagship chip, built on innovative 3D IC stacking and the proprietary Tau Law, achieves performance parity with TSMC's 3nm process while bypassing EUV lithography constraints.