精选理由
半导体制造从业者终于有了国产高端刻蚀装备的选项——Acme Glaion130解决了先进节点下传统工艺精度不足和损伤控制难题，做芯片工艺研发的团队值得关注实测数据。
北方华创推出全新12英寸气体团簇离子束（GCIB）刻蚀设备Acme Glaion130，攻克了气体团簇离子源、高速运动电极和动态精确控制算法三大技术瓶颈。该设备具备原子级加工精度和近零损伤优势，可覆盖先进逻辑、存储、封装、硅光芯片及AR/VR等场景。相比传统等离子刻蚀，GCIB刻蚀精度达纳米级，方向性更佳，适配几乎所有材料。实测显示其整面刻蚀膜厚控制精准，综合性能达到同类型设备领先水平。这标志着国产芯片制造装备在关键工艺领域实现自主突破。
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北方华创推出全新12英寸气体团簇离子束（GCIB）刻蚀设备Acme Glaion130，攻克了气体团簇离子源、高速运动电极和动态精确控制算法三大技术瓶颈。该设备具备原子级加工精度和近零损伤优势，可覆盖先进逻辑、存储、封装、硅光芯片及AR/VR等场景。相比传统等离子刻蚀，GCIB刻蚀精度达纳米级，方向性更佳，适配几乎所有材料。实测显示其整面刻蚀膜厚控制精准，综合性能达到同类型设备领先水平。这标志着国产芯片制造装备在关键工艺领域实现自主突破。
IT之家 6 月 2 日消息，北方华创今日发布全新 12 英寸气体团簇离子束（GCIB）刻蚀设备 Acme Glaion130。 该设备突破三大核心技术瓶颈， 覆盖先进逻辑、存储、封装、硅光芯片及 AR / VR 应用场景 。 随着集成电路制程向先进节点迈进，芯片特征尺寸进入原子级，对加工精度、表面质量和损伤控制提出严苛要求，而传统化学机械抛光（CMP）、等离子刻蚀存在划痕、亚表面损伤、精度有限等短板，无法满足先进逻辑、存储、硅光芯片等…