精选理由
芯片设计团队和AI硬件开发者终于有了国产高性能片上电容方案，直接靠近核心供电，解决大电流瞬态响应痛点，建议关注流片进展。
湖北江城实验室成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接集成在AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片内部或硅基板内，支持纳秒级大电流瞬态响应，满足高算力、低功耗需求。目标客户涵盖国内CPU、GPU、手机处理器等芯片厂商。目前技术正在开展工艺流片及小批量试产，计划在先进封装领域实现规模化应用。
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湖北江城实验室成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接集成在AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片内部或硅基板内，支持纳秒级大电流瞬态响应，满足高算力、低功耗需求。目标客户涵盖国内CPU、GPU、手机处理器等芯片厂商。目前技术正在开展工艺流片及小批量试产，计划在先进封装领域实现规模化应用。
IT之家 6 月 12 日消息，据上海证券报今日报道，湖北江城实验室近期 在电容关键技术上取得重大突破，成功研制出三维多层片上电容，电容密度突破每平方毫米 1000 纳法 。 据介绍， 该电容可直接应用于 AI / GPU 芯片、高性能处理器等高端芯片 ，支撑高算力、低功耗芯片研发。 IT之家从报道中获悉，这款片上电容可以直接做在芯片内部或紧邻的硅基板内，越靠近核心，越适合 AI 芯片纳秒级大电流瞬态响应， 目标客户涵盖国内的 CPU、…