碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，凭借其高耐压、低损耗、耐高温的特性，正在电力电子领域加速渗透，从新能源汽车到电源设备，产业链上下游纷纷加码布局。
近期，碳化硅在消费电子和汽车领域的应用取得新进展。金河田预告了采用SiC方案的Vortexis Platinum高功率电源，表明碳化硅正从工业与车规场景向高性能PC电源等消费级应用延伸，提升电源转换效率与功率密度（金河田预告SiC方案Vortexis Platinum高功率电源）。与此同时，小米在介绍其V8s EVO超级电机时强调，该电机实现了28000rpm的高转速，而碳化硅功率器件是支撑电驱系统高频化、高效率的关键技术之一，首搭车型YU7 GT备受期待（小米详解V8s EVO超级电机：28000rpm高转速，首搭YU7 GT）。在产业层面，英飞凌牵头欧盟Moore4Power计划，联合62家合作伙伴共同开发新一代功率芯片，其中碳化硅是重点研究方向，旨在突破材料、器件与制造工艺瓶颈，强化欧洲在功率半导体领域的竞争力（英飞凌牵头欧盟 Moore4Power 计划，62 方联手开发新一代功率芯片）。
当前焦点集中在碳化硅的成本控制与产能爬坡。尽管应用前景广阔，但衬底和外延片的高成本仍是制约大规模普及的瓶颈。未来可观察：车企自研电驱系统对碳化硅的导入节奏，以及欧盟、中国等区域在碳化硅产业链上的本土化布局进展。