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推荐理由：闪迪把海量NAND闪存直接堆到GPU底下，单堆容量冲到4TB，比HBM大几十倍，延迟还低，存储瓶颈的新解法来了。
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6月22日
09:30
闪迪新专利（US 12,430,274 B2）提出将搭载CMOS键合阵列的NAND闪存存储裸片堆叠在主计算裸片下方，主计算裸片可为AI加速器或GPU。与HBM DRAM共存于同一中介层，HBM负责低延迟高优先任务，NAND闪存承担大容量读写。单组HBF堆叠容量最高4TB，而HBM单堆仅32~64GB。宽通道互联降低传输延迟、硬件成本和功耗。该架构尚在专利阶段，量产面临功耗和制造成本挑战。
6月16日
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AITOP6月16日 20:46
6月12日
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