伊利诺伊大学团队实现低温单片3D集成，良率近完美

由曹庆教授领导的伊利诺伊大学团队演示了一种单片3D集成技术，可在低温下堆叠晶体管层，良率接近100%。该技术获得了IBM、Intel和TSMC的支持。此突破有望重塑半导体路线图，降低芯片制造成本并提升性能。