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伊利诺伊大学团队实现低温单片3D集成,良率近完美

Monolithic 3D Integration Breakthrough Could Reshape the Semiconductor Roadmap

精选理由

芯片堆叠新技术来了

AI 摘要

由曹庆教授领导的伊利诺伊大学团队演示了一种单片3D集成技术,可在低温下堆叠晶体管层,良率接近100%。该技术获得了IBM、Intel和TSMC的支持。此突破有望重塑半导体路线图,降低芯片制造成本并提升性能。

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由曹庆教授领导的伊利诺伊大学团队演示了一种单片3D集成技术,可在低温下堆叠晶体管层,良率接近100%。该技术获得了IBM、Intel和TSMC的支持。此突破有望重塑半导体路线图,降低芯片制造成本并提升性能。

PandailyUniversity of Illinois researchers led by Professor Cao Qing demonstrate a monolithic 3D integration technique that stacks transistor layers at low temperatures with near-perfect yield, supported by IBM, Intel, and TSMC.