精选理由
宏芯宇发布自研UFS 2.2主控
宏芯宇在COMPUTEX 2026上发布自研UFS 2.2主控芯片HG2325，采用22nm成熟制程工艺。该芯片内置大容量SRAM缓存与自研4KB LDPC硬件纠错引擎，闪存接口速率达1600MT/s。512GB存储模组顺序读写分别达1060MB/s和975MB/s，支持64GB至1TB容量规格，兼容高通、联发科、紫光展锐等主流SoC平台。
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宏芯宇在COMPUTEX 2026上发布自研UFS 2.2主控芯片HG2325，采用22nm成熟制程工艺。该芯片内置大容量SRAM缓存与自研4KB LDPC硬件纠错引擎，闪存接口速率达1600MT/s。512GB存储模组顺序读写分别达1060MB/s和975MB/s，支持64GB至1TB容量规格，兼容高通、联发科、紫光展锐等主流SoC平台。
IT之家 6 月 8 日消息，存储半导体模组企业宏芯宇 (HOSINGLOBAL) 在 COMPUTEX 2026 上发布了其自研 UFS 2.2 嵌入式闪存主控芯片 HG2325。 IT之家了解到， HG2325 采用 22nm 成熟制程工艺 ，内置大容量 SRAM 缓存搭载自研 4KB LDPC 硬件纠错引擎，适配主流 3D TLC / QLC NAND， 闪存接口速率支持到 1600MT/s 。 其兼容高通、联发科技、紫光展锐等厂…