精选理由
联电新工艺省电四成
联华电子（UMC）推出14nm eHV FinFET技术平台，面向手机DDIC等显示驱动应用。该平台较其22nm eHV制程功耗降低40%，芯片面积节省35%。它采用3D晶体管结构，支持高阶与折叠式OLED智能手机显示应用，并优化I/O元件设计提升驱动速度。该技术是联电首次将FinFET导入显示驱动领域，支持高分辨率高刷新率需求。
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联华电子（UMC）推出14nm eHV FinFET技术平台，面向手机DDIC等显示驱动应用。该平台较其22nm eHV制程功耗降低40%，芯片面积节省35%。它采用3D晶体管结构，支持高阶与折叠式OLED智能手机显示应用，并优化I/O元件设计提升驱动速度。该技术是联电首次将FinFET导入显示驱动领域，支持高分辨率高刷新率需求。
IT之家 5 月 14 日消息，联华电子（联电、UMC）近日宣布推出用于显示驱动 IC 的 14nm eHV（嵌入式高压）FinFET 技术平台，宣称 可较其最先进的量产 eHV 制程（基于 22nm）降低 40% 功耗、节省 35% 芯片面积 。 联电表示 22nm eHV 制程支持更小型、轻薄的驱动模块设计，进一步延长移动设备的电池续航， 支持高阶与折叠式 OLED 智能手机显示应用 。 在数字电路方面，联电 14nm eHV 不仅…