乔治亚理工研发太空级铁电NAND闪存,抗辐射能力提升30倍

科学家研发新型太空级 NAND 闪存:可承受 1 亿次 X 光辐射,抗辐射能力超传统产品 30 倍

精选理由

太空AI系统需要极端环境下的可靠存储,做航天电子或卫星存储的团队可以直接关注这项技术——它解决了传统NAND在辐射下数据丢失的核心痛点,建议点开了解氧化铪材料的实际测试数据。

AI 摘要

乔治亚理工学院科研人员开发出一种基于铁电材料(氧化铪)的新型NAND闪存,其抗辐射能力是传统NAND的30倍,可承受高达100万拉德(相当于1亿次X光胸透)的辐射。传统NAND闪存通过俘获电荷存储数据,在太空辐射下易损坏;而铁电NAND利用材料的极化状态存储,对辐射具有强抵抗力。该芯片覆盖了从近地轨道到深空任务的辐射范围,为太空AI系统和数据存储提供了可靠方案。相关成果已发表在《Nano Letters》上。

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乔治亚理工学院科研人员开发出一种基于铁电材料(氧化铪)的新型NAND闪存,其抗辐射能力是传统NAND的30倍,可承受高达100万拉德(相当于1亿次X光胸透)的辐射。传统NAND闪存通过俘获电荷存储数据,在太空辐射下易损坏;而铁电NAND利用材料的极化状态存储,对辐射具有强抵抗力。该芯片覆盖了从近地轨道到深空任务的辐射范围,为太空AI系统和数据存储提供了可靠方案。相关成果已发表在《Nano Letters》上。

IT之家IT之家 5 月 22 日消息,随着太空任务日益频繁,所需要的航天器也必须越来越多地依赖自身完成数据处理和存储。为了支撑太空 AI 系统,对应的存储器也需要在极端恶劣的环境中保持稳定。 传统的 NAND 闪存 —— 与智能手机、笔记本电脑和数据中心所用技术相同 —— 是目前太空中大容量数据存储的最先进方案,存储容量可达太比特级别。然而,太空中的辐射会严重降低其性能,甚至导致数据丢失。 为此,乔治亚理工学院的科研人员开发出了一种基于铁电材