铠侠2026年出样BiCS10 1Tb TLC闪存，332层设计

铠侠认为仅靠提升堆叠层数已无法优化成本，332层相比400层产品可降低10%成本、提升10%能效和35%可靠性。公司预测2026-2028年NAND市场出货容量年复合增长22%，其中AI推理领域增速达86%。

铠侠将聚焦数据中心和企业业务，目标营收占比超60%，并计划大幅增加资本和研发支出。

铠侠计划 2026 年夏天出样下代 BiCS10 1Tb TLC NAND 闪存

IT之家 6 月 3 日消息，KIOXIA（铠侠）当地时间昨日举行了 2026 年投资者日活动。 该企业宣布将在今年夏天出样 BiCS10 1Tb TLC NAND ，这一闪存将用于下代支持 PCIe Gen6 的 CM 系列企业级固态硬盘中。 BiCS10 采用 332 层设计，堆叠层数低于部分竞争对手。铠侠在解释产品设计时表示， 当前已无法仅通过提升堆叠改善 3D NAND 的成本结构 ，更高堆叠意味着工艺复杂性和制造成本的上升，此外高堆叠还不利于能效和可靠性表现。 铠侠表示，332L BiCS10 与其推测的 400L 产品相比实现了 10% 的成本降低、10% 的能效提升、35% 的可靠性优势。 在企业层面，铠侠预测 NAND 市场的整体出货容量在 2026~2028 年实现 22% 的 CAGR，其中数据中心领域的复合年均增长率达到 46%，而 AI 推理这一细分领域的增速将达到 86%；另一方面， PC、智能手机领域的需求则将持平或小幅下降 。 此外，铠侠认为当前已是 NAND 市场供需失衡最为严重的时刻，未来将逐步改进，但 到 2027 年底前供小于求的基本面不会改变 。 在此背景下，铠侠 正专注于数据中心和企业业务 ，目标将该细分领域对整体营收的贡献比例提升到 60% 以上，通过高附加值产品推动盈利能力的提升；而 PC、智能手机端收入规模则将保持稳定。 铠侠 2026~2028 财年的 平均资本支出与研发支出都将较 2025 财年水平增长 60% 以上 。该企业将快速推进制程升级，目标实现每年约 10% 的前端单位容量成本降低。 IT之家了解到，铠侠表示 已就北上市生产基地的进一步扩建进行评估 ，目标在 2029 财年后投产。

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