铠侠和闪迪的新闪存接口提速33%，专为AI存储设计，搞数据中心或存储的朋友可以看看。
铠侠与闪迪联合推出第九代2Tb QLC 3D闪存，面向AI基础设施和数据密集型应用。该技术采用CMOS直接键合阵列（CBA）架构，结合先进CMOS晶圆与存储单元阵列。与前代第八代产品相比，新引入6平面架构，提升读写带宽并改善功耗效率。NAND接口速度达4.8Gb/s，较第八代提升33%。两家公司CTO均强调该技术对AI工作负载和存储接口迭代的支撑作用。
铠侠与闪迪发布第九代 2Tb QLC 3D 闪存，接口速度达 4.8Gb/s 提升 33%
IT之家 8 月 12 日消息，铠侠与闪迪今日共同宣布，推出第九代高性能 2Tb QLC 3D 闪存。该技术面向 AI 基础设施及数据密集型应用场景，旨在应对 AI 工作负载带来的存储需求增长。 第九代 QLC 技术采用了两家公司的 CMOS 直接键合阵列（CBA）架构，将先进 CMOS 晶圆与成熟的存储单元阵列平台相结合。 与前代第八代 2Tb QLC 产品相比，新技术引入了 6 平面架构及多项性能增强设计，实现了更高的写入与读取带宽，同时改善了读写功耗效率。IT之家从官方新闻稿获悉，其 NAND 接口速度达到 4.8Gb/s，较第八代器件提升了 33%。 铠侠首席技术官宫岛英史表示，随着 AI 应用从生成式 AI 向智能体和物理 AI 扩展，数据利用日趋多样化和复杂化，公司正通过将成熟的存储单元技术与最新 CMOS 技术相结合，加速第九代闪存的开发，在保持较高投资效率的同时实现高性能。 闪迪首席技术官 Alper Ilkbahar 则表示，AI 的快速普及正在加速存储接口的迭代，市场对能更快进化的存储技术需求日益增长，第九代 QLC 技术展示了 CBA 架构在分别推进 CMOS 和存储技术创新方面的灵活性。 相关阅读： 《 铠侠与闪迪发布第十代 332 层 QLC NAND 闪存，接口速率达 4.8Gb/s 》 《 铠侠第一大股东易主：东芝减持放弃宝座，SK 海力士关联投资实体成“新王” 》