09:21IT之家（博客/媒体）精选SK海力士下一代V10 3D NAND闪存采用375层堆叠设计，相比原计划的400层有所降低，以降低量产难度。该闪存已完成生产验证，目标2026年内通过既有产线制程升级实现大规模量产。技术层面，金属布线层中的部分字线材料从钨替换为钼，以降低电阻并改善填充性能。此外，SK海力士还规划了480层、604层的后续3D NAND产品。行业SK海力士V10 NAND375层3D NAND闪存推荐理由：SK海力士375层闪存，2026量产原文
17:08IT之家（博客/媒体）精选三星电子利用单元多层键合(CMB)技术，将两片450层3D NAND连接，构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，存储单元工作特性已得到验证。原型制造中以“上部卡盘”解决了晶圆翘曲问题，并用新型套刻校正技术克服了微细对准误差。位线与字线的改进同时优化了功耗和尺寸。行业三星电子3D NAND900层CMB推荐理由：三星造出900层NAND原文
22:18IT之家（博客/媒体）精选铠侠计划在2027年量产其第十代BiCS FLASH产品（BiCS10），堆叠层数达到332层。该闪存支持4.8Gbps的I/O接口速率，位密度比现有的BiCS8提升59%。此前曝光的量产时间原为2026年，现推迟至2027年，投资细节将在2026年下半年明朗。铠侠在BiCS8代引入CBA架构，BiCS9产品已于去年出样。行业铠侠BiCS103D NAND332层闪存推荐理由：存储技术迭代，332层堆叠提速原文