精选理由
SK海力士375层闪存，2026量产
SK海力士下一代V10 3D NAND闪存采用375层堆叠设计，相比原计划的400层有所降低，以降低量产难度。该闪存已完成生产验证，目标2026年内通过既有产线制程升级实现大规模量产。技术层面，金属布线层中的部分字线材料从钨替换为钼，以降低电阻并改善填充性能。此外，SK海力士还规划了480层、604层的后续3D NAND产品。
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SK海力士下一代V10 3D NAND闪存采用375层堆叠设计，相比原计划的400层有所降低，以降低量产难度。该闪存已完成生产验证，目标2026年内通过既有产线制程升级实现大规模量产。技术层面，金属布线层中的部分字线材料从钨替换为钼，以降低电阻并改善填充性能。此外，SK海力士还规划了480层、604层的后续3D NAND产品。
IT之家 6 月 11 日消息，韩媒 THE ELEC 当地时间昨日报道称， SK 海力士现有 V9 321L 后的下一代 3D NAND 闪存将采用 375 层堆叠设计 。该企业新的 V10 NAND 已完成生产验证，正准备量产转移，目标 2026 年内通过既有产线制程升级实现大规模生产。 ▲ SK 海力士 V9 NAND 韩媒宣称 SK 海力士原本计划在 V10 世代采用 400 层堆叠，但由于这会为量产带来更大技术难度最终选择 3…