精选理由
SK海力士375层闪存，2026量产
SK海力士下一代V10 3D NAND闪存采用375层堆叠设计，相比原计划的400层有所降低，以降低量产难度。该闪存已完成生产验证，目标2026年内通过既有产线制程升级实现大规模量产。技术层面，金属布线层中的部分字线材料从钨替换为钼，以降低电阻并改善填充性能。此外，SK海力士还规划了480层、604层的后续3D NAND产品。
原文 · IT之家
消息称 SK 海力士 V10 NAND 采用 375 层堆叠设计，2026 年内量产
IT之家 6 月 11 日消息，韩媒 THE ELEC 当地时间昨日报道称， SK 海力士现有 V9 321L 后的下一代 3D NAND 闪存将采用 375 层堆叠设计 。该企业新的 V10 NAND 已完成生产验证，正准备量产转移，目标 2026 年内通过既有产线制程升级实现大规模生产。 ▲ SK 海力士 V9 NAND 韩媒宣称 SK 海力士原本计划在 V10 世代采用 400 层堆叠，但由于这会为量产带来更大技术难度最终选择 375 层设计。业内人士称 SK 海力士未来还规划了 480 层、604 层的 3D NAND。 技术层面，SK 海力士在 V10 NAND 的金属布线层中 将部分字线 (Word Line) 材料从钨 (W) 替换为钼 (Mo) ，后者电阻更低、填充性能更好。在钼沉积工艺中，SK 海力士将应用成本更具优势的 TEL 炉式设备。