精选理由
三星造出900层NAND
三星电子利用单元多层键合(CMB)技术，将两片450层3D NAND连接，构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，存储单元工作特性已得到验证。原型制造中以“上部卡盘”解决了晶圆翘曲问题，并用新型套刻校正技术克服了微细对准误差。位线与字线的改进同时优化了功耗和尺寸。
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三星电子利用单元多层键合(CMB)技术，将两片450层3D NAND连接，构建了全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型，存储单元工作特性已得到验证。原型制造中以“上部卡盘”解决了晶圆翘曲问题，并用新型套刻校正技术克服了微细对准误差。位线与字线的改进同时优化了功耗和尺寸。
IT之家 5 月 25 日消息，据韩媒当地时间今日报道，三星电子近期利用单元多层键合 (CMB) 技术连接两片 450 层 3D NAND， 构建了全球首个 900 层超高堆叠 3D NAND 闪存原型 ，这一样品的存储单元工作特性已得到验证。 ▲ 三星电子 V9 QLC 将两片 450 层 NAND“摩天大楼”整合为一片 900 层 NAND，这一过程对键合的可靠性提出了非常高要求。 三星电子在原型制造中以“上部卡盘”(Upper C…