09:21IT之家（博客/媒体）精选SK海力士下一代V10 3D NAND闪存采用375层堆叠设计，相比原计划的400层有所降低，以降低量产难度。该闪存已完成生产验证，目标2026年内通过既有产线制程升级实现大规模量产。技术层面，金属布线层中的部分字线材料从钨替换为钼，以降低电阻并改善填充性能。此外，SK海力士还规划了480层、604层的后续3D NAND产品。行业SK海力士V10 NAND375层3D NAND闪存推荐理由：SK海力士375层闪存，2026量产原文