精选理由
AI 数据中心功耗爆炸，800V 架构是趋势，做电源系统或数据中心基础设施的团队值得关注这款 SiC MOSFET 的性能提升。
东芝宣布开始出货 1200V 沟槽栅碳化硅 MOSFET 样品 TW007D120E，主要面向下一代 AI 数据中心 800V HVDC 电源系统。该产品采用专有沟槽栅结构，单位面积导通电阻较现有产品降低约 58%，品质因数提高约 52%，达到业界领先水平。这些特性有助于提升电源系统效率、减少发热，增强功率密度和散热性能，对 AI 数据中心功率转换至关重要。东芝计划在 2026 财年实现量产，并拓展汽车应用产品线。
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东芝宣布开始出货 1200V 沟槽栅碳化硅 MOSFET 样品 TW007D120E，主要面向下一代 AI 数据中心 800V HVDC 电源系统。该产品采用专有沟槽栅结构，单位面积导通电阻较现有产品降低约 58%，品质因数提高约 52%，达到业界领先水平。这些特性有助于提升电源系统效率、减少发热，增强功率密度和散热性能，对 AI 数据中心功率转换至关重要。东芝计划在 2026 财年实现量产，并拓展汽车应用产品线。
IT之家 5 月 25 日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社本月 21 日宣布 开始出货 1200V 沟槽栅碳化硅 (SiC) MOSFET "TW007D120E" 的测试样品 ，该产品主要面向下一代 AI 数据中心电源系统（800V HVDC 架构），同时也适用于可再生能源相关设备。 TW007D120E 采用东芝专有的沟槽栅结构， 单位面积低导通电阻较东芝现有产品降低约 58% ，达到业界领先水平；同时其 品质因数较现有产品提高…