精选理由
这项突破解决了高频晶体管在太赫兹频段的应用瓶颈，做射频通信、6G或半导体器件的科研人员值得关注——它直接给出了一个可实测验证的新架构，且理论潜力巨大。
中国科学院金属研究所团队联合多家单位，成功研制出全球首款实现射频测试的硅-石墨烯-锗势垒晶体管。该器件通过创新的垂直异质结构，解决了传统二维基区晶体管的量子隧穿势垒和缺陷问题，实现了1.8×10⁷的共射极电流增益，创下晶体管电流增益世界纪录。在射频实测中，其本征截止频率达到132 GHz，超越所有同类器件。理论分析表明，通过优化工艺，该器件工作频率有望突破1 THz，为6G和物联网的超高速信号处理提供全新路径。
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中国科学院金属研究所团队联合多家单位，成功研制出全球首款实现射频测试的硅-石墨烯-锗势垒晶体管。该器件通过创新的垂直异质结构，解决了传统二维基区晶体管的量子隧穿势垒和缺陷问题，实现了1.8×10⁷的共射极电流增益，创下晶体管电流增益世界纪录。在射频实测中，其本征截止频率达到132 GHz，超越所有同类器件。理论分析表明，通过优化工艺，该器件工作频率有望突破1 THz，为6G和物联网的超高速信号处理提供全新路径。
IT之家 6 月 8 日消息，中国科学院金属研究所孙东明、刘驰团队联合多家科研单位，在高频晶体管领域取得重要突破。 团队成功研制出国际上首款实现射频测试的硅-石墨烯-锗势垒晶体管 ，该器件刷新了垂直二维基区晶体管的截止频率纪录，并创造了晶体管电流增益的世界最高值。 相关研究成果以“A high-frequency silicon-graphene-germanium barristor”（一种高频硅-石墨烯-锗势垒晶体管）为题，于近日发…