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非易失性存储

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7月17日
11:36
11:36IT之家(博客/媒体)
复旦大学团队在《科学》杂志发表成果,发明量子闪存结构,首次在室温(27℃)下实现单电子非易失性存储。存储窗口达0.5伏特,数据保持稳定。相比1997年硅基单电子存储(55mV、仅维持5秒),信号放大近一个数量级。该技术达到“一电子一比特”的量子理论极限,为高密度存储奠定基础。团队计划1-3年内产业化,成本有望与主流持平。
论文单电子存储量子闪存复旦大学

推荐理由:复旦团队搞出量子闪存,室温下一个电子就能存数据,比97年的硅基存储强了十倍,手机以后能装更大AI模型还不掉电。
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