RibbonFET是一种新型半导体器件结构，在集成电路制造领域处于前沿技术位置，近年来成为芯片制程优化的核心研究方向之一。
RibbonFET 近期进展
2024年10月报道显示，英特尔14A制程缺陷密度曲线优化取得进展，该制程中RibbonFET器件结构的应用有助于提升芯片可靠性。英特尔14A制程缺陷密度曲线最佳2024年9月消息，英特尔18A - P工艺下RibbonFET器件频率提升达30%，显示其在性能表现上的优势。英特尔18A - P工艺详解：频率提升30%
预计2027年底，英特尔18A制程目标实现高利润率，其中RibbonFET技术的良率提升是重要支撑因素。英特尔18A制程目标2027年底实现高利润率，重心转向提升良率
英特尔CEO提及PC业务关键地位时指出，14A芯片含RibbonFET结构预计2029年量产，体现产品落地时间规划。英特尔CEO陈立武：PC业务仍关键，14A芯片2029年量产