晶体管（transistor）是现代电子电路中控制电流开关和放大的基本元件，也是芯片的最小构成单元，其集成密度直接决定芯片算力与功耗表现。当前半导体产业围绕晶体管的竞争，已从单纯缩小尺寸转向新型材料、新存储结构和先进封装等多个方向并行推进。
晶体管近期技术进展
当前焦点与观察点
晶体管技术路线目前呈现明显的分化：一方面，GAA、背面供电等新结构仍在延续传统硅基微缩；另一方面，二维半导体、RRAM 等新材料的量产验证开始加速，imec 与台积电、ASML 的合作和 MemSilicon 的 28nm RRAM 流片都说明产业化节奏在加快。地缘政治因素也在重塑竞争格局，在 EUV 光刻机获取受限的情况下，华为通过架构与设计层面的改进实现密度跃升，成为讨论度较高的话题。
值得后续关注的方向包括：50nm 栅距二维晶体管能否进入试产验证、1T4R 等新型存储结构对存算一体架构的实际带动效果，以及在先进制程受限的环境下，晶体管密度的提升还能通过封装、架构优化等路径走多远。