19:19IT之家(博客/媒体)湖北江城实验室成功研制出三维多层片上电容,电容密度突破每平方毫米1000纳法。该电容可直接集成在AI/GPU芯片、高性能处理器等高端芯片内部或硅基板内,支持纳秒级大电流瞬态响应,满足高算力、低功耗需求。目标客户涵盖国内CPU、GPU、手机处理器等芯片厂商。目前技术正在开展工艺流片及小批量试产,计划在先进封装领域实现规模化应用。AI产品芯片电容AI/GPU高性能处理器国产技术推荐理由:芯片设计团队和AI硬件开发者终于有了国产高性能片上电容方案,直接靠近核心供电,解决大电流瞬态响应痛点,建议关注流片进展。原文
13:26爱范儿@Selina中国 AI 公司成功将 600 亿参数的大模型部署到手机上,突破了模型体积与移动端算力的瓶颈。这一进展依赖于国产框架、芯片和模型的闭环生态,实现了从方法论到硬件的完全自主。该技术让手机端运行超大模型成为可能,显著提升本地 AI 能力,减少对云端的依赖。关键细节包括模型压缩和推理优化技术,使得在有限内存和功耗下高效运行。这对移动 AI 应用和国产技术生态具有重要意义。AI产品大模型手机部署国产技术模型压缩推理优化推荐理由:手机端跑 600 亿参数模型不再是梦,做移动端 AI 应用或关注国产技术生态的开发者,值得关注这一突破,它可能改变未来手机 AI 的玩法。原文