11:58IT之家(博客/媒体)精选东芝宣布开始出货 1200V 沟槽栅碳化硅 MOSFET 样品 TW007D120E,主要面向下一代 AI 数据中心 800V HVDC 电源系统。该产品采用专有沟槽栅结构,单位面积导通电阻较现有产品降低约 58%,品质因数提高约 52%,达到业界领先水平。这些特性有助于提升电源系统效率、减少发热,增强功率密度和散热性能,对 AI 数据中心功率转换至关重要。东芝计划在 2026 财年实现量产,并拓展汽车应用产品线。行业东芝SiC MOSFETAI 数据中心电源系统800V HVDC推荐理由:AI 数据中心功耗爆炸,800V 架构是趋势,做电源系统或数据中心基础设施的团队值得关注这款 SiC MOSFET 的性能提升。原文