Samsung 西安厂推进 286 层 V9 NAND 升级，项目代号 Monami

Samsung 在西安的工厂贡献其全球约 40% 的 NAND 产量，正通过内部项目 Monami 把约 200 层芯片升级为 286 层 V9 芯片，目标 12 月达到月产 5,000 片晶圆，2027 年 12 月达到 40,000 片。SK Hynix 计划将大连厂从 192 层 NAND 提升至 240 层或以上，并可能向美方申请在大连研发 300 层以上芯片。两家公司均称升级是与华盛顿协商后进行，但美国商务部 2025 年曾表示只许可这些工厂继续运营，不包括产能扩张或技术升级。