SK海力士砸54万亿韩元建Y2和M17,专攻HBM和NAND,AI存储产能要爆发,存储价格还得涨。
SK海力士董事会通过向龙仁Y2和清州M17两座晶圆厂合计投资54万亿韩元(约合2567亿元人民币)。其中龙仁Y2投资35.2万亿韩元,计划2025年7月开工,2029年6月启用无尘室,生产HBM等新一代DRAM。清州M17投资19.1万亿韩元,用于扩展NAND闪存产能,计划2025年2月开工,2028年12月启用无尘室。两座工厂的投资期均持续至2031年。
SK 海力士宣布向龙仁 Y2、清州 M17 晶圆厂合计投资 54 万亿韩元
IT之家 8 月 7 日消息,SK 海力士 (SK hynix) 韩国当地时间今日表示,公司董事会决议通过向龙仁 Y2、清州 M17 两座晶圆厂合计投资 54 万亿韩元 (IT之家注:现汇率约合 2,567.16 亿元人民币) ,其中龙仁 Y2 投资额 35.2 万亿韩元 (现汇率约合 1,673.41 亿元人民币) 、清州 M17 投资额 19.1 万亿韩元 (现汇率约合 908.01 亿元人民币) 。 SK 海力士表示: 在 AI 时代,仅凭技术竞争力已不足以保持优势; 能否在客户所需时间点交付足量产品 , 才是真正的竞争力 。此次投资决定是基于对市场需求进行充分评估后作出的。 ▲ SK 海力士龙仁半导体集群渲染 龙仁 Y2 是 SK 海力士在韩国京畿道龙仁市处仁区远三面一带的龙仁半导体集群的第二座晶圆厂。这座晶圆厂也将作为 DRAM 生产基地投入运营。 Y2 总建筑面积约 113 万平方米 , 计划明年 7 月开工 , 2029 年 6 月启用首个无尘室 , 主要生产 HBM 等新一代 DRAM 产品 。其隶属的龙仁半导体集群第二阶段投资将分阶段实施至 2031 年 10 月。 本次投资金额还包括为 Y2 员工配套的办公及福利设施“支援楼”,集开发产品实验、测试、分析一体的“研发综合中心”以及相关配套设施等建设费用。 支撑 Y2 投产的一期电力、供水基础设施建设已完成 99%,进入收尾阶段。 此外,SK 海力士龙仁半导体集群首座晶圆厂 Y1 目前建设进展顺利,预计明年 2 月启用首个无尘室。 ▲ SK 海力士清州 M17 晶圆厂效果图 另一方面,M17 进一步扩展了 SK 海力士位于清州园区的 NAND 闪存生产设施,其可与现有产线协同增效;同时厂址、电力及用水等基础设施也已基本就绪。 清州 M17 晶圆厂总建筑面积约 68 万平方米 , 计划明年 2 月开工 , 2028 年 12 月启用首个无尘室 。投资期将持续至 2031 年 4 月,并将根据业务进度分阶段实施。