精选理由
AI算力需求推高HBM发热，SK海力士的iHBM技术直接嵌入冷却元件解决散热瓶颈，做高性能计算和数据中心的团队可以关注，无需改设计就能用上。
SK海力士于5月26日推出名为iHBM的控温散热存储技术，通过在高带宽内存（HBM）封装内直接集成一体化冷却元件ICE，解决AI算力需求带来的发热瓶颈。该技术利用绝缘高导热硅基材料，在发热最集中的D2D PHY区域嵌入ICE，构建专用散热通道，使热阻降低30%以上。iHBM采用成熟的MR-MUF封装工艺，可实现规模化量产，且与现有系统级封装环境兼容，客户无需大幅改动设计。SK海力士计划将该技术应用于HBM5等下一代产品，满足高性能计算和AI数据中心的需求。
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SK海力士于5月26日推出名为iHBM的控温散热存储技术，通过在高带宽内存（HBM）封装内直接集成一体化冷却元件ICE，解决AI算力需求带来的发热瓶颈。该技术利用绝缘高导热硅基材料，在发热最集中的D2D PHY区域嵌入ICE，构建专用散热通道，使热阻降低30%以上。iHBM采用成熟的MR-MUF封装工艺，可实现规模化量产，且与现有系统级封装环境兼容，客户无需大幅改动设计。SK海力士计划将该技术应用于HBM5等下一代产品，满足高性能计算和AI数据中心的需求。
IT之家 5 月 26 日消息，随着人工智能算力需求的持续攀升，高带宽内存（HBM）正加速向更多堆叠层数与更高运行速度迭代，但随之而来的发热问题也成为制约产品稳定性的关键瓶颈。 SK 海力士于 5 月 26 日宣布推出名为“iHBM”的控温散热存储技术，通过在高带宽内存封装内直接集成一体化冷却元件，从结构层面解决散热难题。 IT之家从官方获悉，iHBM 技术的核心在于 SK 海力士新开发的冷却元件“ICE”—— 一种利用绝缘、高导热性硅…