精选理由
联发科转向英特尔封装,打破了台积电在AI芯片封装上的垄断格局,做芯片设计或关注供应链的从业者值得关注——这可能会影响未来AI芯片的成本和性能走向。
联发科在COMPUTEX 2026期间宣布,其下一代芯片将独家采用英特尔的EMIB-T先进封装技术,取代台积电的CoWoS方案。该芯片计划于2026年Q4流片,2027年Q4量产,业内推测涉及定制AI芯片和CPU。英特尔EMIB-T通过嵌入式硅桥替代大面积硅中介层,宣称能降低成本和复杂度,但当前良率约90%,距离98%的量产标准仍有差距。谷歌下一代TPU也在评估采用EMIB-T,同时爱普和力积电已进入该封装供应链。这一决定标志着英特尔在先进封装领域对台积电的挑战取得重要进展。
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联发科在COMPUTEX 2026期间宣布,其下一代芯片将独家采用英特尔的EMIB-T先进封装技术,取代台积电的CoWoS方案。该芯片计划于2026年Q4流片,2027年Q4量产,业内推测涉及定制AI芯片和CPU。英特尔EMIB-T通过嵌入式硅桥替代大面积硅中介层,宣称能降低成本和复杂度,但当前良率约90%,距离98%的量产标准仍有差距。谷歌下一代TPU也在评估采用EMIB-T,同时爱普和力积电已进入该封装供应链。这一决定标志着英特尔在先进封装领域对台积电的挑战取得重要进展。
IT之家 6 月 2 日消息,在 COMPUTEX 2026 期间举行的高盛日活动上,联发科宣布其下一代芯片将仅采用英特尔的 EMIB-T 先进封装技术,不再使用台积电的 CoWoS 方案。 联发科在会议中透露,该下一代芯片项目的流片(tape-out)目标定于 2026 年第四季度,并计划在 2027 年第四季度进入量产阶段。 高盛指出,联发科企业级 ASIC 业务进展超出预期,次世代芯片设计复杂度大幅提升,将全面采用 EMIB-T …