精选理由
SK海力士押注FG NAND路线，直接服务于AI推理对高容量QLC SSD的爆发需求，做AI基础设施或存储方案的团队值得关注这一技术动向。
据韩媒报道，SK海力士计划在大连二厂建设约250层的FG（浮栅）结构3D NAND产线。目前主流闪存原厂均采用CT（电荷阱）结构，SK海力士通过收购英特尔闪存业务保留了FG技术。公司已完成200层以上FG NAND研发，计划2026年Q3建设中试线，2027年H2实现量产。FG结构更适合QLC NAND，而AI推理工作负载对读取密集型QLC SSD需求旺盛，此举将巩固其在AI存储市场的竞争力。
原文 · IT之家
消息称 SK 海力士将在大连二厂建设“200 层中段”FG NAND 产线
IT之家 6 月 4 日消息，据韩媒 the bell 当地时间 5 月 28 日报道，SK 海力士计划在大连二厂建设“200 层中段” （250 层左右） 的 FG（浮栅）结构 3D NAND 产线。 几大闪存原厂目前均在其 3D NAND 中采用 CT（电荷阱）结构，唯有 SK 海力士通过对英特尔闪存业务的收购保留了 FG NAND 生产线。SK 海力士大连一厂目前具备 192 层 FG NAND 的量产能力。 韩媒表示，SK 海力士去年完成了 200 层以上 FG NAND 的研发工作， 现在正向量产转移 。其计划 2026Q3 建设一条中试线，相关设备采购已然启动，后续目标到 2027H2 实现全面量产。 相较 CT， FG 结构更适合每单元比特数更高的 QLC NAND 闪存 。而 AI 尤其是推理工作负载对不重写入的读取密集型 SSD 有着很高的需求，这正是 QLC 的用武之地。另一方面，技术路线的延续也有利于 Solidigm 开发工作保持连贯。