精选理由
SK海力士押注FG NAND路线，直接服务于AI推理对高容量QLC SSD的爆发需求，做AI基础设施或存储方案的团队值得关注这一技术动向。
据韩媒报道，SK海力士计划在大连二厂建设约250层的FG（浮栅）结构3D NAND产线。目前主流闪存原厂均采用CT（电荷阱）结构，SK海力士通过收购英特尔闪存业务保留了FG技术。公司已完成200层以上FG NAND研发，计划2026年Q3建设中试线，2027年H2实现量产。FG结构更适合QLC NAND，而AI推理工作负载对读取密集型QLC SSD需求旺盛，此举将巩固其在AI存储市场的竞争力。
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据韩媒报道，SK海力士计划在大连二厂建设约250层的FG（浮栅）结构3D NAND产线。目前主流闪存原厂均采用CT（电荷阱）结构，SK海力士通过收购英特尔闪存业务保留了FG技术。公司已完成200层以上FG NAND研发，计划2026年Q3建设中试线，2027年H2实现量产。FG结构更适合QLC NAND，而AI推理工作负载对读取密集型QLC SSD需求旺盛，此举将巩固其在AI存储市场的竞争力。
IT之家 6 月 4 日消息，据韩媒 the bell 当地时间 5 月 28 日报道，SK 海力士计划在大连二厂建设“200 层中段” （250 层左右） 的 FG（浮栅）结构 3D NAND 产线。 几大闪存原厂目前均在其 3D NAND 中采用 CT（电荷阱）结构，唯有 SK 海力士通过对英特尔闪存业务的收购保留了 FG NAND 生产线。SK 海力士大连一厂目前具备 192 层 FG NAND 的量产能力。 韩媒表示，SK 海力…