行业精选11:58东芝出样 1200V 沟槽栅 SiC MOSFET,面向 AI 数据中心电源AI 数据中心功耗爆炸,800V 架构是趋势,做电源系统或数据中心基础设施的团队值得关注这款 SiC MOSFET 的性能提升。#东芝#SiC MOSFET#AI 数据中心#电源系统IIT之家原文稍后读已读值得跟进有用关注 东芝