09:57IT之家（博客/媒体）
推荐理由：KAIST团队在PtSe₂里做出一整块半金属-半导体结构，电流过边界不堵车，还拿AFM拍了纳米级实况。
KAIST
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7月16日
09:57
韩国科学技术研究院（KAIST）与成均馆大学团队在单层二铅化物（PtSe₂）薄膜中构建了半金属区和半导体区的一体化结构，使电流跨越边界时无接触电阻障碍。他们利用原子力显微镜（AFM）在纳米尺度直接观测到电荷输运，验证了自然的电流流动。该成果发表于2026年7月《Matter》期刊（DOI:10.1016/j.matt.2026.102873），有望降低下一代半导体器件的接触电阻，推动AI芯片和超低功耗半导体发展。