DRAM · AI 话题观测

§ 01综述

DRAM（动态随机存取存储器）是计算机系统中最核心的临时数据存储介质，以其高速读写能力和断电易失性，在CPU与存储设备之间承担缓冲角色。近期，AI大模型和高性能计算的爆发式需求，正将DRAM从传统PC/移动市场推向以HBM（高带宽内存）为代表的AI专用内存前沿。

DRAM近期进展

美光加码美国本土制造：美光宣布到2035年在美国投资总额将超2500亿美元，以扩大先进DRAM产能，响应AI芯片对高带宽内存的迫切需求。美光宣布2035年美国投资总额将超2500亿美元

三星电子利润暴涨得益于AI存储芯片：三星电子Q2营业利润预计同比暴涨18倍，主要受AI服务器所需的高端DRAM（如HBM3E）和NAND闪存强劲需求驱动。三星电子 Q2 营业利润预计暴涨 18 倍，AI 存储芯片需求驱动

韩国启动“三大超级项目”扩产：韩国政府主导的“三大超级项目”启动，目标是在五年内使本国DRAM生产能力翻倍，以巩固其在全球存储市场的领先地位。韩国启动“三大超级项目”，DRAM 生产能力预计五年内翻倍

联想警告DRAM高价格长期化：联想指出，受AI服务器持续消耗产能影响，存储芯片高价将维持到2030年，DRAM价格难以回落至2025年初水平。联想警告：存储芯片高价将持续到2030年，难回2025年初水平

当前焦点与观察点

当前DRAM行业的焦点集中于AI驱动的结构性供需失衡。一方面，HBM等高性能DRAM成为AI算力的“瓶颈”，三星、美光、SK海力士等厂商加速技术迭代和产能扩张；另一方面，消费电子端（如PC、手机）的DRAM需求疲软，导致标准型DRAM价格涨幅收敛。行业普遍观点是，AI将重塑DRAM需求结构，高附加值产品占比持续提升，而传统市场可能长期承受高价压力。此外，韩国和美国在DRAM制造上的大规模投资，也预示着地缘政治对半导体供应链的干预加深。

§ 02相关报道10 条在档

§ 03邻近话题