NAND

NAND闪存正经历从传统存储向AI驱动的存储转型，技术和产能布局均围绕大容量、高可靠性展开。近期，SK海力士大连二厂计划建设200层FG NAND产线，瞄准AI推理中对高容量QLC NAND的需求，这一动作表明QLC NAND在AI场景的渗透加速。同时，铠侠宣布将于2026年出样BiCS10 1Tb TLC闪存，采用332层堆叠，层数突破300层，标志着NAND堆叠技术进入新阶段。此外，英特尔第3代酷睿Ultra结合群联aiDAPTIV技术，实现16GB内存运行26B模型，体现了NAND作为扩展内存的潜力。当前焦点在于：高容量QLC NAND能否满足AI推理的可靠性要求？300+层堆叠带来的性能和成本权衡如何？未来可观察QLC NAND在AI推理中的部署规模，以及3D NAND层数突破后的良率挑战。