NAND 闪存是一种非易失性存储芯片，广泛用于 SSD 固态硬盘、手机存储和数据中心，是 AI 时代继 DRAM 之后最紧缺的存储器件之一。当前 NAND 行业正处于供给紧张与 AI 需求驱动的双重叠加期，各大原厂加速向 300 层以上堆叠推进，同时地缘政治也在重塑其产能布局。
NAND 近期进展
当前焦点与观察点
价格是市场最直接的信号。三星预计 2026 年第三季度营业利润达 107.4 万亿韩元，或成全球首例，存储涨价是主要推手；分销商深圳华强则提示，下半年存储芯片价格涨幅预计收敛，但供给紧张格局未变。美光也警告内存危机可能持续至 2028 年，手机与笔记本价格或再度上调，终端消费者的换机成本正在被 NAND 和 DRAM 的短缺逐步放大。
需求侧，AI 是本轮 NAND 周期的核心变量。SK 海力士预测 2030 年 AI 基础设施性能规模将增长约 20 倍，带动企业级 SSD 与高容量存储需求；消费侧同样有体现——爆料称索尼 PS6 仅内存和存储成本已超 680 美元，机械革命则计划推出搭载自研 AI SSD 的 RTX Spark 迷你主机大师之路 X10，说明高带宽本地存储正从数据中心下沉到游戏主机与 AI 终端。
后续值得关注的节点包括：2027 年美光 G11 与 Solidigm 美国工厂的落地进度、Solidigm IPO 定价对板块估值的影响，以及 400 层级堆叠良率能否如期爬坡——这些将决定本轮 NAND 供给紧缺何时真正缓解。