№nand闪存·general
NAND闪存
别名
- 首次出现
- 2026-05-22
- 最近出现
- 2026-07-22
- 累计提及
- 23
§ 01综述
NAND闪存是一种非易失性存储技术，通过电子电荷存储数据，在固态硬盘（SSD）和移动设备中广泛应用。近年来，3D堆叠技术不断突破层数上限，推动存储密度和性能持续提升。
NAND闪存近期进展
闪迪新专利提出将NAND闪存堆叠在计算芯片下方，通过垂直集成减少数据传输距离，有望解决存储带宽瓶颈。闪迪专利：NAND闪存堆叠在计算芯片下方破解存储瓶颈
铠侠计划于2026年出样BiCS10 1Tb TLC闪存，采用332层设计，进一步拉高堆叠层数。铠侠2026年出样BiCS10 1Tb TLC闪存，332层设计
Solidigm宣布郭炘和Richard Chin担任联席CEO，该公司专注于企业级SSD市场，高层变动可能影响其NAND闪存产品策略。Solidigm 任命郭炘和 Richard Chin 为新任联席 CEO
乔治亚理工研发出太空级铁电NAND闪存，利用铁电材料替代传统浮栅，抗辐射能力提升30倍，适用于航天环境。乔治亚理工研发太空级铁电NAND闪存，抗辐射能力提升30倍
当前焦点与观察点
NAND闪存行业正围绕更高层数堆叠、异构集成和特殊应用场景展开竞争。铠侠的332层BiCS10预示着2026年后主流产品层数将超300层；闪迪的堆叠专利则试图从架构层面突破带宽限制。同时，太空级铁电NAND的出现拓展了传统存算场景。此外，铠侠预估2026财年净利润同比增48倍达8690亿日元，反映出市场对NAND闪存需求复苏的乐观预期。