三星把六成闪存产能都给了英伟达，V9已稳定，V10密度再提50%，这波存储布局看懂AI服务器需求。
韩媒报道三星向英伟达供应超过60%的V-NAND产能。英伟达CMX存贮方案搭载576块SSD，总容量9600TB。预计2026年CMX所需NAND达3500万TB，2027年超1亿TB。三星V9（286层）占产能60%，良率超80%；V10密度比V9提高50%，V11可达500层。
超 60% 的 V-NAND 产能给英伟达，三星加速 V9、V10 闪存布局
IT之家 7 月 22 日消息，韩媒 sedaily 于 7 月 20 日发布博文，报道称在 NAND Flash 闪存供应方面，三星正扩大和英伟达的合作， 向后者供应超过 60% 的 V-NAND（垂直 NAND）产能。 IT之家注：V-NAND 是一种通过纵向堆叠存储单元提升容量与密度的闪存架构。与平面 NAND 相比，它可在相同芯片面积内容纳更多存储层，常用于企业级 SSD、数据中心存储和高容量移动存储产品。 报道指出伴随着 AI 服务器规模扩大，临时上下文数据（Key-Value cache，也称 KV 缓存）规模持续扩大，已开始形成数据瓶颈。英伟达希望通过 Context Memory Storage（上下文内存存储，CMX）缓解这一限制，三星已成为相关 NAND 供应方。 英伟达目前用于 AI 服务器的 CMX 搭载 576 块 SSD，总存储容量达到 9600TB。业内预计，CMX 所需的 NAND 需求 2026 年为 3500 万 TB，而 2027 年将激增到 1 亿 TB 以上。 鉴于三星今年的 NAND 产量预计将达到约 2.5 亿 TB，三星计划凭借其世界一流的产能，成为英伟达 CMX 的核心供应商。 在产线规划方面，三星电子 V-NAND 产能目前每月超过 10 万片晶圆，其中 V9（286 层）占 60%， 良率已升至 80% 以上 ，进入量产稳定阶段；V8 占比已降至 40% 以下，去年以来产能快速向 V9 转移。 消息称 V10 可提供更高堆叠层数，让英伟达能在同一 CMX 模块内配置更高容量 SSD，进一步承接 GPU 外溢的上下文数据。 技术路线方面，报道称，三星正研究面向英伟达 CMX 的 V11 NAND，其最高堆叠高度可达 500 层，V11 比 V10 多 100 层；V10 的存储密度较 V9（286 层）提高 50%。