09:30IT之家(博客/媒体)韩媒报道三星向英伟达供应超过60%的V-NAND产能。英伟达CMX存贮方案搭载576块SSD,总容量9600TB。预计2026年CMX所需NAND达3500万TB,2027年超1亿TB。三星V9(286层)占产能60%,良率超80%;V10密度比V9提高50%,V11可达500层。行业三星英伟达V-NAND推荐理由:三星把六成闪存产能都给了英伟达,V9已稳定,V10密度再提50%,这波存储布局看懂AI服务器需求。原文稍后读已读值得跟进有用关注 三星
09:21IT之家(博客/媒体)精选SK海力士下一代V10 3D NAND闪存采用375层堆叠设计,相比原计划的400层有所降低,以降低量产难度。该闪存已完成生产验证,目标2026年内通过既有产线制程升级实现大规模量产。技术层面,金属布线层中的部分字线材料从钨替换为钼,以降低电阻并改善填充性能。此外,SK海力士还规划了480层、604层的后续3D NAND产品。行业SK海力士V10 NAND375层推荐理由:SK海力士375层闪存,2026量产原文稍后读已读值得跟进有用关注 SK海力士
22:18IT之家(博客/媒体)精选铠侠计划在2027年量产其第十代BiCS FLASH产品(BiCS10),堆叠层数达到332层。该闪存支持4.8Gbps的I/O接口速率,位密度比现有的BiCS8提升59%。此前曝光的量产时间原为2026年,现推迟至2027年,投资细节将在2026年下半年明朗。铠侠在BiCS8代引入CBA架构,BiCS9产品已于去年出样。行业铠侠BiCS103D NAND推荐理由:存储技术迭代,332层堆叠提速原文稍后读已读值得跟进有用关注 铠侠