18:17IT之家(博客/媒体)硅谷 AI 芯片初创企业 TetraMem 宣布其 22nm SoC MLX200 在台积电制程上完成芯片验证,评估套件预计 2026 年下半年推出。该芯片采用“模拟内存计算”技术,通过 RRAM 阵列直接在内存中完成向量矩阵乘法,大幅缩短数据传输距离,实现低功耗低延迟的 AI 推理。TetraMem 瞄准可穿戴设备、边缘 IoT、传感器和嵌入式系统等细分场景,为边缘 AI 提供高效能解决方案。这一进展标志着存内计算从概念走向实际产品化,有望改变边缘设备的 AI 部署方式。AI产品存内计算AI 芯片边缘计算低功耗TetraMem推荐理由:存内计算是突破冯·诺依曼瓶颈的关键路径,做边缘 AI 或低功耗设备的开发者值得关注——TetraMem 的 22nm SoC 验证意味着这项技术离量产又近了一步。原文
14:13IT之家(博客/媒体)精选72°英特尔联合力积电(PSMC)和软银旗下SAIMEMORY,将在VLSI 2026会议上展示一种新型3D DRAM堆叠方案Via-in-One TSV。该架构通过多晶圆后通孔和超薄硅基底等技术,实现了约0.25 Tb/s/mm²的带宽和低于0.35 W/mm²的数据传输功耗,同时将数据移动能耗降至0.7 pJ/bit以下。完整9层DRAM堆叠已完成功能验证,工作电压范围0.95V-1.2V,并通过可靠性测试。这一突破有望解决AI训练和推理中带宽与功耗的平衡难题。AI产品英特尔DRAM堆叠AI内存高带宽低功耗推荐理由:AI训练和推理团队长期受困于显存带宽与功耗的拉扯,英特尔的9层堆叠方案直接给出0.25 Tb/s/mm²带宽和0.35 W/mm²功耗的硬指标,做高性能计算或AI芯片的开发者值得关注这一技术路线。原文