10:28pandaily@contact@pandaily.com (Pandaily)精选由于EUV光刻工具受限,中国AI芯片设计者正押注3D混合键合与堆叠技术。该技术通过垂直堆叠芯片来提升性能,绕过传统制程缩放瓶颈。此举旨在缩小与西方先进芯片的性能差距。行业3D堆叠混合键合EUV光刻AI芯片先进封装推荐理由:中国芯片厂用3D堆叠绕过EUV限制,这个弯道超车的技术路线值得一看。原文
09:57IT之家(博客/媒体)凌川科技近日完成数亿元A+轮融资,由啟赋资本领投。该公司前身为快手异构计算与芯片事业部,2024年3月独立运营,其SL200视频智能SOC已在快手部署数万颗、服务7亿用户。下一代芯片采用全国产3D堆叠技术,已于4月完成流片,针对散热等关键问题设计,体现韬(τ)定律在数据中心的应用。AI产品凌川科技SL2003D堆叠韬定律视频生成1 个信源在谈推荐理由:快手系芯片公司凌川科技搞出了全国产3D堆叠芯片,已经流片了,还拿了数亿融资,专攻视频和生成式AI算力。原文
09:30IT之家(博客/媒体)精选闪迪新专利(US 12,430,274 B2)提出将搭载CMOS键合阵列的NAND闪存存储裸片堆叠在主计算裸片下方,主计算裸片可为AI加速器或GPU。与HBM DRAM共存于同一中介层,HBM负责低延迟高优先任务,NAND闪存承担大容量读写。单组HBF堆叠容量最高4TB,而HBM单堆仅32~64GB。宽通道互联降低传输延迟、硬件成本和功耗。该架构尚在专利阶段,量产面临功耗和制造成本挑战。AI模型闪迪NAND闪存HBM3D堆叠存储架构推荐理由:闪迪把海量NAND闪存直接堆到GPU底下,单堆容量冲到4TB,比HBM大几十倍,延迟还低,存储瓶颈的新解法来了。原文