09:56IT之家(博客/媒体)乔治亚理工学院科研人员开发出一种基于铁电材料(氧化铪)的新型NAND闪存,其抗辐射能力是传统NAND的30倍,可承受高达100万拉德(相当于1亿次X光胸透)的辐射。传统NAND闪存通过俘获电荷存储数据,在太空辐射下易损坏;而铁电NAND利用材料的极化状态存储,对辐射具有强抵抗力。该芯片覆盖了从近地轨道到深空任务的辐射范围,为太空AI系统和数据存储提供了可靠方案。相关成果已发表在《Nano Letters》上。论文NAND闪存铁电材料太空存储抗辐射氧化铪推荐理由:太空AI系统需要极端环境下的可靠存储,做航天电子或卫星存储的团队可以直接关注这项技术——它解决了传统NAND在辐射下数据丢失的核心痛点,建议点开了解氧化铪材料的实际测试数据。原文