09:27IT之家(博客/媒体)精选据韩媒报道,SK海力士计划在大连二厂建设约250层的FG(浮栅)结构3D NAND产线。目前主流闪存原厂均采用CT(电荷阱)结构,SK海力士通过收购英特尔闪存业务保留了FG技术。公司已完成200层以上FG NAND研发,计划2026年Q3建设中试线,2027年H2实现量产。FG结构更适合QLC NAND,而AI推理工作负载对读取密集型QLC SSD需求旺盛,此举将巩固其在AI存储市场的竞争力。行业SK海力士FG NANDQLCAI推理存储芯片推荐理由:SK海力士押注FG NAND路线,直接服务于AI推理对高容量QLC SSD的爆发需求,做AI基础设施或存储方案的团队值得关注这一技术动向。原文