HBM4价格明年有望翻倍，产能瓶颈与长期合同加剧供应紧张

消息称 HBM4 价格明年有望翻倍，产能瓶颈与长期合同加剧供应紧张

IT之家 7 月 13 日消息，受到人工智能需求激增与产能结构性瓶颈的双重推动，高带宽内存（HBM）的价格到 2027 年有望翻倍。 据 DigiTimes 上周五报道，业内人士透露，下一代 HBM4 的价格有望升至每 Gb 4 至 5 美元甚至更高，而 2026 年下半年的价格约为每 Gb 2 美元。 此次价格上涨主要源于 HBM4 极其复杂的制造工艺。HBM4 的生产周期长达 4 至 6 个月，而且初期良率明显低于成熟产品。此外，生产 HBM 所消耗的晶圆产能约为普通 DDR5 DRAM 的三倍，这意味着在现有产能条件下，内存厂商能够生产的 HBM 数量受到严重限制。 供应紧张的局面还因长期供货协议进一步加剧。三星电子、SK 海力士和美光等存储巨头，正通过与顶级 AI 客户签署为期 3 至 5 年的长期合同，提前锁定全球 HBM 产能。 DigiTimes 认为，随着越来越多 DRAM 产能转向 HBM，再加上长期合同占用，到 2027 年，全球约一半 DRAM 产能将无法向中小客户供应。 与此同时，英伟达即将推出的 Rubin AI 架构正在加速 HBM4 的导入。不过，存储厂商也面临新的利润取舍。 由于今年服务器 DDR5 内存价格持续上涨，部分厂商的 DDR5 利润率已超过 80%，这使得内存制造商只有在 HBM 能够带来更高利润的情况下，才愿意将生产线从传统 DRAM 转向 HBM。因此，他们也将推动 HBM 维持更高的售价，以弥补转换产线带来的机会成本。 资本市场方面，这种长期供不应求的格局预计将继续支撑存储板块股价表现。 SK 海力士当天通过美国存托凭证（ADR）正式登陆纳斯达克，这是公司历史上首次在美国上市交易。本次发行规模高达 265 亿美元，且 ADR 的交易价格甚至高于其韩国首尔上市股票，显示投资者依然高度看好 AI 存储市场的发展前景。 AI 热潮已经推动多家存储企业股价大幅上涨，其中：美光（Micron）累计上涨超过 700%；闪存厂商闪迪（SanDisk）上涨超过 3800%；SK 海力士上涨超过 630%；三星电子上涨超过 360%。 IT之家注意到，尽管近期市场一度担忧科技巨头可能削减 AI 基础设施投资，但 DigiTimes 援引供应链消息称，进入 2027 年后，AI 硬件整体仍将处于供不应求状态。 因此，预计存储厂商将在 2026 年底的新一轮供货合同谈判中继续掌握绝对的定价主动权，而没有提前签订长期供货协议的消费电子厂商，则可能面临严重的缺货风险。