产品精选
芯片新创 Kepler 亮相：利用 FeRAM 与 3D 堆叠突破 AI 内存瓶颈
精选理由
朋友，Kepler 这家新公司搞了个 FeRAM 内存，用 3D 堆叠技术，性能接近 SRAM 但容量更大，还不用 EUV 设备，挺有意思的。
芯片初创企业 Kepler Computing 宣布其 FeRAM 内存方案，采用 3D 堆叠技术，带宽接近 SRAM，容量优于 SRAM 和 HBM，且无需 EUV 光刻设备。该方案预计 2026 年底出样，2027 年扩大产能。
原文 · IT之家
IT之家 9 月 14 日消息，成立于 2018 年的芯片初创企业 Kepler Computing 当地时间本月 10 日正式宣布亮相。该企业的目标是化解 AI 半导体领域当前存在的内存能耗与带宽、产能与成本瓶颈。 Kepler Computing 宣称其可提供带宽接近 SRAM、容量优于 SRAM 乃至 HBM 的内存方案，同时还无需 EUV 光刻设备。根据介绍， 这一方案采用 3D 堆叠集成技术 ， 应该属于 FeRAM（铁电存储器） ，将于 2026 年底出样，2027 年扩大产能。 而在未来，该企业计划利用材料创新突破现有 CMOS（互补金属氧化物半导体）的固有限制，通过更低电压改进芯片的能效表现并提升生产能力。 Kepler Computing 正利用格罗方德的新加坡 28nm 产能试产，未来也将在美国制造。企业宣称其改造既有晶圆厂用于创新内存生产的过程仅用时 8 个月，是一般情况下的 1/3。
