消息称三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能
三星给 AI 数据中心做定制闪存了：zNAND-T 拼带宽对标 HBF，zNAND-I 专攻 KV Cache 这种高频小数据读写，思路挺有意思。
据韩媒 ZDNET Korea 10 月 12 日报道，三星电子正在开发针对 AI 负载优化的 NAND 闪存产品。除此前公布的 zNAND-O 外，还有 zNAND-T 和 zNAND-I 两款新方向。zNAND-T 中的 T 代表吞吐量，类似闪迪和 SK 海力士提出的 HBF 概念，采用 TSV 堆叠 NAND Die，为数据中心 AI 半导体优化读写带宽。zNAND-I 的 I 代表 IOPS，强调少量数据频繁读写场景，KV Cache 卸载就属于此类。三种 zNAND 分别对应不同应用负载，显示 NAND 闪存正从通用型产品转向定制化。
IT之家 10 月 12 日消息，韩媒 ZDNET Korea 当地时间今日报道称，三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的 NAND 闪存产品，除此前已公布的 zNAND-O 外还有 zNAND-T 与 zNAND-I。 报道指出，zNAND-T 的 "T" 代表 "Throughput"（吞吐量）。其类似于闪迪和 SK 海力士提出的 HBF 概念， 为数据中心 AI 半导体的需求优化读写带宽表现 ，采用 TSV 堆叠 NAND Die。 而 zNAND-I 的 "I" 则是象征随机性能的 IOPS 的简写， 强调少量数据频繁读写操作中的表现 ，KV Cache 卸载就属于此类场景。 ▲ zNAND-O 结构示意 三种 zNAND 各有专长，针对不同的应用负载，代表着 NAND 闪存正从通用型产品转向定制化。 相关阅读： 《 固态硬盘未来可扩展至 PB 容量：SK 海力士介绍 AIN Family 产品组合 》