前英特尔 CEO 基辛格：HBM 位密度低、散热难，是"糟糕的内存"

前英特尔 CEO 基辛格称 HBM 是“糟糕的内存”

IT之家 10 月 14 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（10 月 13 日）发布博文，报道称前英特尔首席执行官帕特 · 基辛格（Pat Gelsinger）再次批评高带宽内存（HBM）存在位密度低、散热与“海岸线带宽”受限等问题， 称其为“糟糕的内存”。 IT之家注：海岸线带宽（Shoreline Bandwidth）是指计算芯片边缘可用于连接 HBM 的物理周长资源。由于 HBM 接口需要占用芯片边缘大量面积，可布置的内存堆叠数量受到限制，从而形成带宽扩展瓶颈。 基辛格在接受 a16Z 的专访时，批评高带宽内存 (HBM) 解决方案： HBM 内存简直糟糕透了。 这只是我们目前能实现的最佳方案 …… 但它真的太差劲了。你知道，它的位密度非常低。带宽受限，功耗、散热等等问题也让我很头疼。DRAM 内存不喜欢高温。所有数据都集中在一个地方…… 对于人工智能这种内存计算密集型工作负载来说，HBM 内存简直是灾难性的。 基辛格指出，HBM 的位密度较低，且数据集中布局会带来功耗与散热压力，对 AI 这类内存与计算高度耦合的工作负载而言，该架构存在明显短板。 散热方面，HBM3/3E 总线宽度为 1,024 位，HBM4 提升至 2,048 位，需要大量并行连接与微凸点。韩国科学技术院的分析显示，当 HBM 功耗超过约 30 瓦时，GPU 或 ASIC 与 HBM 堆栈之间的物理层接口（PHY）自身发热会成为内存热应力的主要来源。 位密度方面，HBM 堆叠中的 DRAM 裸片需通过大量硅通孔（TSV）连接。该结构减少单颗裸片可容纳的存储单元数量，导致单颗 DRAM 裸片位密度较低；但整个堆叠在每平方毫米层面仍可提供更高累计密度。 图源：WikiMedia