09:27IT之家（博客/媒体）
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推荐理由：SK海力士押注FG NAND路线，直接服务于AI推理对高容量QLC SSD的爆发需求，做AI基础设施或存储方案的团队值得关注这一技术动向。
FG NAND
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6月4日
09:27
据韩媒报道，SK海力士计划在大连二厂建设约250层的FG（浮栅）结构3D NAND产线。目前主流闪存原厂均采用CT（电荷阱）结构，SK海力士通过收购英特尔闪存业务保留了FG技术。公司已完成200层以上FG NAND研发，计划2026年Q3建设中试线，2027年H2实现量产。FG结构更适合QLC NAND，而AI推理工作负载对读取密集型QLC SSD需求旺盛，此举将巩固其在AI存储市场的竞争力。