V-Die 侧立 DRAM 吞吐 540 tokens/s，提升 82.43%
V-Die 和 MOSAIC 通过侧立 DRAM 解决散热，吞吐比 HBM4 提升 82%，时延降低 32%，AI 内存瓶颈有望突破。
IT之家原文
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7月11日
6月18日
V-Die 和 MOSAIC 通过侧立 DRAM 解决散热，吞吐比 HBM4 提升 82%，时延降低 32%，AI 内存瓶颈有望突破。