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cmos

general · First seen 2026-05-29 · Last seen 2026-10-27 · 131 mentions

Overview

CMOS（互补金属氧化物半导体）是目前绝大多数图像传感器和主流逻辑芯片的基础工艺技术，广泛用于手机摄像头、安防监控、车载影像以及 CPU、SRAM 等计算芯片制造。随着 AI 与影像需求升级，CMOS 技术正沿两条主线演进：一是图像传感器向更高像素、更低功耗和更大画幅推进，二是底层器件结构通过 CFET、3D 堆叠等新架构继续微缩。

CMOS 图像传感器的近期进展

  • 思特威推2亿像素手机CMOS SCC62HS，2026年Q3量产：国产传感器厂商思特威计划于 2026 年第三季度量产 2 亿像素手机 CMOS，加入高像素主摄赛道的竞争。
  • 思特威推出 50MP 手机 CMOS 传感器 SC505HS，功耗降低约 18%：该 50MP 产品主打低功耗，功耗较同类方案降低约 18%，反映中高端手机市场对续航与影像的平衡需求。
  • 思特威发布5MP图像传感器SC522PC，面向AI PC与平板：除手机外，思特威也在拓展 AI PC 与平板等新兴视频会议场景的 5MP 传感器产品线。
  • 索尼与台积电将在熊本投资1万亿日元，2029年量产下一代图像传感器：索尼与台积电计划在日本熊本投资 1 万亿日元，目标 2029 年量产下一代图像传感器，被视为高端 CIS 领域的重要布局。

    • CMOS 工艺与器件架构的演进方向

    在逻辑与存储侧，泛林集团提出 SA-CFET 架构，SRAM 单元面积较 N3 缩小 52.7%，通过互补场效应晶体管堆叠显著压缩 SRAM 面积，为延续 CMOS 微缩提供了新路径。存储方面，闪迪专利：NAND闪存堆叠在计算芯片下方破解存储瓶颈 探索了 CMOS 计算层与闪存层 3D 集成的方案；铠侠与闪迪的第九代 2Tb QLC 闪存也将接口速度提升至 4.8Gb/s。此外，利用CMOS忆阻器进行分支预测的储备池计算研究 等学术工作显示，CMOS 兼容的忆阻器件正被尝试用于 AI 推理加速。

    当前焦点与观察点

    目前 CMOS 领域的竞争焦点集中在三处：其一是高像素手机主摄的量产节奏，思特威与索尼、三星之间的差距与追赶值得持续跟踪；其二是先进封装与 3D 堆叠能否在 2D 微缩接近极限时继续提升 CMOS 芯片的密度与能效；其三是熊本等新产能在 2029 年前后落地后，高端图像传感器供应链格局是否重塑。整体看，CMOS 技术并未进入停滞期，而是在影像规格、架构创新和产业投资三个维度同步推进。

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