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全部模型产品行业论文技巧
标签:HBM×
6月23日
00:05
00:05berryxia@berryxia
精选75°
美光宣布与Anthropic签署多年期合作协议,涉及HBM、DRAM和SSD,双方将围绕Claude工作负载共同设计内存和存储架构。美光还参与了Anthropic的Series H融资,并在内部部署Claude。此合作使美光同时成为Anthropic的投资者、客户、供应商和合作伙伴,标志着AI基础设施垂直整合的新趋势。
行业MicronAnthropicClaudeHBMAI基础设施

推荐理由:美光不光卖内存给Anthropic,还投钱、用Claude、一起改硬件设计,这种全栈绑定挺有意思的。
原文
6月22日
09:30
09:30IT之家(博客/媒体)
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闪迪新专利(US 12,430,274 B2)提出将搭载CMOS键合阵列的NAND闪存存储裸片堆叠在主计算裸片下方,主计算裸片可为AI加速器或GPU。与HBM DRAM共存于同一中介层,HBM负责低延迟高优先任务,NAND闪存承担大容量读写。单组HBF堆叠容量最高4TB,而HBM单堆仅32~64GB。宽通道互联降低传输延迟、硬件成本和功耗。该架构尚在专利阶段,量产面临功耗和制造成本挑战。
AI模型闪迪NAND闪存HBM3D堆叠存储架构

推荐理由:闪迪把海量NAND闪存直接堆到GPU底下,单堆容量冲到4TB,比HBM大几十倍,延迟还低,存储瓶颈的新解法来了。
原文
6月11日
15:28
AITOP6月11日 15:28
1107 vs 303:谷歌悄悄开源了一个“拆打字机”的模型,把大模型速度翻了4倍
15:23
AITOP6月11日 15:23
DiffusionGemma颠覆文本生成?自回归模型的“统治”要结束了
15:07
AITOP6月11日 15:07
每秒1107个token,Google开源的扩散模型为什么能改变本地推理格局?
6月2日
16:54
16:54rohanpaul_ai@rohanpaul_ai
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SK hynix 表示,AI 内存需求巨大,计划在 5 年内将晶圆产能翻倍,但供应紧张预计将持续到 2030 年。晶圆是制造内存芯片的硅基板,翻倍产能意味着扩大物理产出基础,而非仅提高现有产线利用率。AI 供应受限于内存制造的物理节奏,如晶圆、封装、良率和供应协议,其速度远慢于 GPU 路线图。压力主要来自 HBM(高带宽内存),这种堆叠内存用于英伟达 GPU,扩展困难,需要先进 DRAM、堆叠、封装、测试及与 GPU 设计方的紧密协作。SK hynix 正与英伟达和台积电合作开发 HBM4 基础芯片。全球内存市场中,DRAM 前三强(三星、SK hynix、美光)控制约 90% 营收,SK hynix 在 HBM 领域以 58% 份额领先。
行业HBMSK hynixAI内存晶圆产能英伟达

推荐理由:AI 芯片性能越来越受内存瓶颈限制,做 AI 基础设施或芯片投资的团队需要理解 HBM 的产能节奏——SK hynix 的扩产计划直接关系到 GPU 供应和成本,值得关注。
原文
6月1日
00:09
AITOP6月1日 00:09
OpenAI 发起“Codex for Open Source”:免费赠送 6 个月 Pro 订阅,开源维护者能否迎来 AI 变革?
5月29日
08:02
AITOP5月29日 08:02
Opus 4.8发布:编程助手的“静默时刻”,是解放开发者,还是新门槛?🔥Anthropic 把 AI 编程的“确认键”彻底删掉了!Claude Code 搭载全新 Opus 4.8 模型,长时间任务不跑偏、不废话、不中断,像一个资深工程师一样默默干活,从功能开发到漏洞清扫全包圆,你在旁边喝茶等结果就行。过去 AI 写代码三步一问“这样可以吗”,现在它直接交完整交付物……自主编程的最后一层窗户纸,被捅破了。做自动化开发和代码审查的团队,这个模型建议直接上手,效率差距肉眼可见……Opus 4.8发布:编程助手的“静默时刻”,是解放开发者,还是新门槛?
5月23日
09:45
09:45Simon Willison’s Weblog(博客/媒体)
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内存制造商(仅剩三家大公司)的晶圆产能固定,需分配给DDR(台式机/服务器)、LPDDR(手机/低功耗设备)和HBM(GPU用)。AI数据中心对HBM的需求激增,其晶圆分配比例从2%预计升至2026年底的20%,且每GB HBM消耗的晶圆容量是DDR或LPDDR的三倍以上。内存公司因历史教训倾向于保守扩产,导致消费设备RAM生产受限。这已影响100美元以下智能手机市场,尤其对非洲和南亚地区冲击明显。未来几年,使用内存的消费电子产品价格将显著上涨。
行业内存短缺HBM消费电子AI数据中心芯片产能

推荐理由:AI 热潮正在挤压手机和电脑的 RAM 供应,想买便宜电子产品的消费者和关注新兴市场的从业者,建议提前了解价格趋势。
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5月15日
15:43
15:43IT之家(博客/媒体)
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三星电子正在研发下一代HBM技术,旨在提升移动设备端侧AI性能。该技术采用多层堆叠FOWLP方案,通过改进VCS铜柱结构(从3:1~5:1提升至15:1~20:1)和FOWLP补强,解决传统LPDDR带宽和散热瓶颈。理论带宽可提升15-30%,并支持更多I/O接口。业内预计该技术最快在Exynos 2800后期或Exynos 2900中集成。
AI产品三星HBM端侧AI移动设备FOWLP

推荐理由:端侧AI手机的性能瓶颈即将被打破,关注移动端AI落地的开发者可以提前了解三星的技术路线,看看未来手机能跑多强的模型。
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